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ROHM开发出第5代SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET，高温下导通电阻可降低约30%！

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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。

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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：393 继续阅读>>

维安双面散热M<span style='color:red'>OS</span>FET：大功率应用首选

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维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。　　新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。　　维安推出双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。　　双面散热与顶部散热：　　1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。　　2.双面散热的冷却效果最好。　　3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。　　传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。　　PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：　　1.Rthjc_Bottom 改善10%　　2.Rthjc_Top 改善将近 23%　　3.Rthja 改善将近3.5倍　　空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：　　*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。　　顶部加散热片器件温升对比：　　* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：　　*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。　　1/ 双面散热　　2/ 顶部散热　　产品特点　　WAYON 双面散热MOSFET　　卓越的品质因数(FOMs)　　业界领先低导通电阻　　高可靠性、高品质　　先进的厚铜clip技术　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060　　热性能改善将近3.5倍　　典型应用　　WAYON 双面散热MOSFET　　BMS　　高性能开关电源DC转换与整流　　机器人关节电机驱动　　无人机电调　　成功案例　　典型应用AGV(电机驱动器)　　型号：WMBD030N10HG4　　项目背景　　一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;　　二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。　　项目结果　　在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。

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发布时间：2026-04-21 10:26 阅读量：398 继续阅读>>

4月研讨会报名中！ROHM Nch LV M<span style='color:red'>OS</span>FET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：434 继续阅读>>

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再添新将！基于三星Exynos Modem的广和通5G模组Fx550正式全球量产

　　3月31日，广和通宣布：基于三星Exynos Modem平台开发的5G模组Fx550(包含LGA封装的FG550及M.2封装的FM550)已正式实现规模化量产。该产品的推出及量产不仅标志着广和通与三星战略合作的深度落地，更将为全球5G FWA(固定无线接入)及泛IoT领域，如无线固话、MiFi、行业网关等提供兼具极致性能与卓越可靠性的连接方案。　　强强联手：共筑5G连接新高度　　此次量产是广和通与三星达成深度战略合作的核心成果。三星5G芯片方案历经全球市场的海量出货验证，以其高度的稳定性、卓越的射频性能及广泛的全球兼容性著称。双方通过技术整合，旨在发挥各自在芯片底层架构与行业应用积累上的优势，共同推动5G技术在全球垂直行业的深度渗透与普及。　　三星电子执行副总裁兼系统LSI 调制解调器研发团队负责人Jungwon LEE：　　三星很高兴能深化与广和通的战略合作，共同推进面向全球市场的下一代 5G 连接解决方案。广和通Fx550 模块的成功量产，印证了双方在为固定无线接入(FWA)和宽带物联网(IoT)应用提供前沿连接时，对创新、性能和可靠性的共同承诺。在AI时代，我们正共同构筑更智能、更互联的行业基石。　　　　广和通无线解决方案事业群副总裁兼MBB事业部总经理陶曦表示：　　非常荣幸能与三星电子达成独家合作，并率先实现大规模量产，并实现市场验证进入泛IoT领域。随着Fx550-EAU、JP、MEA等多个区域版本的同步推进，广和通将助力全球企业在高速连接的赛道上跑出‘加速度’。　　　　核心优势：Fx550 赋能行业数字化转型　　Fx550模组依托三星Exynos Modem平台，在先进制程、传输标准及组网灵活性上树立行业新标杆：　　• 支持 Rel.16 标准，赋能高可靠通信　　Fx550全面兼容 3GPP Rel.16 标准，凭借低时延、高带宽的特性，精准满足FWA与泛IoT领域对实时数据交互与大容量传输的需求。　　• 多载波聚合技术，突破速率上限　　在SA模式下，Fx550支持最高 NR 5CC 载波聚合(200MHz频宽)，下行峰值速率达 4.67Gbps。在较窄的射频带宽内灵活、高效聚合离散化频谱的差异化能力，为全球运营商提升用户体验提供了独特的商业价值，最终赋能行业和家庭客户。在NSA模式下，Fx550最大支持 NR 2CC + LTE 5CC 聚合，下行速率高达 6.47Gbps。在LTE网络下，Fx550最大支持Cat.20，完美覆盖全球4G实网能力。多载波聚合技术突破能有效助力运营商提升频谱利用率，在复杂网络环境下确保极速连接。　　• 开放架构，优化系统成本　　Fx550 采用高性能 Modem 架构，已完成与行业主流 AP(应用处理器)方案，如博通、瑞昱等的深度适配。这种深度兼容性赋予了开发者更灵活的设计选择空间，在保证整机性能的同时，实现开发成本的最优控制，更为全球ODM提供了多样化的产品选择，助力终端客户打造产品差异化优势。此外，Fx550还兼容Linux、OpenWRT、RDK-B、PrpIOS等OS，有利于FWA整机快速开发、复用软件资产，且能够快速升级到最新的Wi-Fi Mesh版本、提高CPE设备的Wi-Fi兼容性。　　全球布局：多版本覆盖主流市场　　为满足不同地域的入网标准，Fx550 同步推出了 FG550-EAU(欧洲/亚洲/澳洲)、FM550-EAU(欧洲/亚洲/澳洲)、FG550-JP(日本)、FG550-NA(北美)以及 FG550-MEA(中东/非洲) 等多个区域版本。目前，Fx550可为全球多个地区提供产品服务与技术支持。　　Fx550 实现量产是广和通构建 5G 全球生态的关键一步。未来，广和通将继续携手三星等全球产业伙伴，深耕 5G 技术创新，通过不断迭代的连接解决方案，加速 5G FWA 及IoT应用在全球范围内的繁荣与普及。

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发布时间：2026-04-01 09:34 阅读量：647 继续阅读>>

拥抱软件定义汽车新时代：基于瑞萨RH850/U2A的<span style='color:red'>OS</span>XY虚拟化平台解决方案

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拥抱软件定义汽车新时代：基于瑞萨RH850/U2A的OSXY虚拟化平台解决方案

　　2026第七届软件定义汽车论坛暨AUTOSAR中国日于3月18-19日在上海举办。此次活动由盖世汽车、AUTOSAR组织、嘉定区投资促进服务中心、上海智能汽车软件园联合主办。大会聚焦软件定义汽车，围绕车载通信解决方案、SOA架构、车云计算、智驾域中间件、高性能计算软件平台等行业焦点进行讨论，吸引主机厂、核心零部件企业、芯片厂商、基础软件供应商及创新科技企业的600余位嘉宾线上线下参会。　　作为在汽车电子领域长期深耕的行业伙伴，瑞萨电子深刻洞察这一趋势与挑战。在本次活动中，瑞萨电子汽车MCU高级产品经理朱桦先生受邀出席并发表题为《瑞萨新一代RH850与OSXY虚拟化平台完美共振》的精彩演讲。重点介绍了瑞萨推出的基于RH850/U2A MCU的OSXY虚拟化平台解决方案，为软件定义汽车(SDV)提供了理想的车载计算基石。　　瑞萨电子汽车MCU高级产品经理朱桦　　1.应对区域控制器痛点，虚拟化成为必然之选　　随着汽车电子电气架构从分布式向域控制/区域控制演进，传统多ECU方案面临集成困难、成本高昂和资源利用率低等挑战。区域控制器(ZCU)需整合来自不同域(如车身、动力、底盘)的功能，这些功能往往由不同团队开发，具有混合安全等级(Mixed-Criticality)，对实时性和隔离性要求极高。　　瑞萨的解决方案核心在于引入Type-1 Hypervisor虚拟化技术。Hypervisor如同一个高度可靠的“超级管家”，直接运行在硬件之上，能够在一颗多核MCU上创建多个彼此隔离的虚拟机(VM)。每个VM可独立运行不同的操作系统(如AUTOSAR CP、Linux等)和应用程序，实现“一芯多系统”。这带来了三大颠覆性优势：　　全新的开发协作模式：项目初期即可为不同功能团队静态分配专属的CPU核心、内存及外设资源，实现物理级隔离。各团队可并行开发、独立验证，从根源上杜绝后期集成摩擦，责任边界清晰。　　功能模块化与无缝迁移：特定功能(如高级悬架控制CDC)可被打包成完整的VM“软件胶囊”，像积木一样在不同车型平台间快速复用和部署，极大提升了软件资产的复用价值，降低了移植成本。　　CPU资源的高效利用：通过静态分区保障安全关键任务的确定性实时响应，同时允许Hypervisor在核心间动态调配算力，让低负载核心的剩余算力支援高负载任务，实现多核SoC算力的最大化利用，杜绝“一核有难，多核围观”的资源浪费。　　2.硬件赋能：RH850/U2A的虚拟化基因　　优秀的虚拟化平台离不开硬件的原生支持。瑞萨新一代RH850/U2A系列MCU，搭载G4MH高性能内核，并从芯片架构层面深度赋能虚拟化，为实现“可量产、可认证”的汽车级虚拟化平台奠定了坚实基础：　　空间隔离：硬件提供内核专属的虚拟机ID(VMID)和精细的内存保护机制，确保不同VM间的数据与代码完全隔离，互不干扰。　　时间隔离：内置专用性能监控单元(PMU)和低时延定时器，能够精确测量和控制每个VM的运行时间，满足功能安全对时序的严苛要求。　　实时性保障：采用面向实时性优化的中断模型，支持将中断直接注入目标VM，无需Hypervisor介入转发，从而将中断响应延迟降至与裸机运行无异，实测数据中断开销为0，完美保障了实时任务的性能。　　此外，RH850/U2A系列采用全球领先的28nm e-Flash工艺通过SG-MONOS存储单元结构创新、精密的电路设计(如字线驱动器应力缓解、分布式电源电压驱动器)以及针对汽车应用的系统级优化，成功解决了在先进工艺下实现高密度、高性能、高可靠性嵌入式闪存的挑战。在提供更大存储容量(最大16MB Flash)、更高性能(400MHz)的同时，实现了更低的功耗与发热，增强了供应链安全，并保持了与上一代产品的良好软件兼容性。　　3.软件核心：基于BAO Hypervisor的OSXY平台　　瑞萨电子OSXY虚拟化平台解决方案是面向软件定义汽车(SDV)时代，专为应对汽车电子电气架构向区域控制(Zonal Architecture)演进挑战而设计的软硬件一体化方案。BAO Hypervisor是瑞萨电子OSXY虚拟化平台解决方案的核心软件组件：BAO Hypervisor提供极简可靠的软件隔离层，瑞萨提供强大的硬件虚拟化基石。两者共同构成了面向软件定义汽车(SDV)的软硬件一体化虚拟化方案。　　BAO Hypervisor是一款于2020年开源发布的静态分区型虚拟机管理器，专为混合临界性系统设计，其核心特点包括：　　极简可信：代码库精炼，易于进行功能安全认证(如ISO 26262)。　　静态分区：采用1:1的vCPU到pCPU映射和静态内存分配，行为确定，资源分配可预测。　　高效直通：支持设备直通和硬件中断直接注入，极大降低I/O延迟。　　瑞萨将BAO Hypervisor深度集成到其RH850/U2A硬件平台后推出的OSXY虚拟化平台解决方案直接回应了汽车电子电气架构向区域控制演进中的四大痛点：功能安全等级混杂、通信协议多样、软件架构复杂化、开发模式变革。通过“硬件虚拟化支持+开源静态分区Hypervisor+完善工具链”的组合，为行业提供了高效、安全、开放的开发与部署环境，助力汽车制造商更敏捷地响应市场变化。　　实测数据显示，在RH850/U2A@400MHz平台上，BAO Hypervisor的上下文切换时间仅为1.33~1.69微秒，最坏情况中断延迟(WCE Latency)低至2.7微秒，为高实时性任务提供了坚实保障。　　4.开发生态：从配置到调试的全链条工具支持　　为降低开发门槛，瑞萨提供了业界领先的工具链集成方案：　　与AUTOSAR工具深度集成：开发者可在AUTOSAR配置工具(如ETAS ISOLAR)中直接图形化配置BAO Hypervisor及各VM资源，一键生成配置与代码，将集成验证周期从数天缩短至数小时。　　与IAR开发环境深度集成：提供跨核调试、VM状态实时监控、跨VM通信链路追踪等功能，实现复杂的多VM系统协同调试与性能分析。　　5.典型应用：虚拟化区域网关与车身控制器　　该方案已成功应用于基于RH850/U2A8的虚拟化区域网关与车身控制器。通过利用VirtIO CAN/以太网驱动统一车载总线通信，并在一个独立的网关VM中集中处理路由逻辑，实现了网关与车身控制功能的单芯片深度融合。此方案消除了传统多核方案中的跨核锁争用，大幅降低CPU负载，并利用Hypervisor的严格分区确保了功能安全业务的物理隔离。　　结语　　在软件定义汽车的时代，软硬件协同创新与开放生态建设是成功的关键。瑞萨电子基于RH850/U2A的OSXY虚拟化平台解决方案，不仅提供了满足未来区域控制器需求的强大硬件基石，更通过深度融合BAO Hypervisor与完善的工具链，构建了一个高效、安全、开放的开发与部署环境。它使得汽车制造商能够更敏捷地响应市场变化，以软件创新持续为用户创造价值，共同驱动智能汽车产业的未来。

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发布时间：2026-03-26 10:08 阅读量：648 继续阅读>>

MWC 2026 | 广和通发布基于Linux <span style='color:red'>OS</span>的高通QMB415平台5G MiFi解决方案

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MWC 2026 | 广和通发布基于Linux OS的高通QMB415平台5G MiFi解决方案

　　广和通正式发布基于高通QMB415平台的模组FG205及5G MiFi解决方案。QMB415平台已适配Linux操作系统，凭借深度定制化的硬件架构与精减的存储需求，为无线宽带应用提供了更优的解决方案以及更可靠的供应稳定性。　　硬件深度定制：去繁就简，直击MiFi核心需求　　QMB415平台在高通SM4450基础上，针对无线宽带应用场景进行高度定制化开发。不同于传统手机芯片平台的冗余设计，该方案在架构上实现了“精准剪裁”：减配CPU冗余算力并裁减了GPU，专注网络连接效能。　　软件系统：Linux OS 终结“内存焦虑”　　此次广和通发布的MiFi解决方案最大亮点在于对Linux操作系统的支持。此前大多5G SoC平台采用的操作系统均是Android，对内存容量的要求较大，通常≥3GB。本方案适配Linux OS后，内存需求最大仅需1GB。该方案降低了存储配置，在实现极致成本的同时，还显著规避了存储这个“不可控”因素带来的供应与价格风险。　　平台化演进：Pin-Pin兼容，实现快速迭代　　为帮助客户缩短产品上市周期，该方案充分考虑了硬件设计的延续性。方案基于QMB415平台的模组FG205，在尺寸布局上与广和通基于骁龙X72/75模组FG180/190系列保持一致。通过Pin-Pin兼容设计，整机客户无需重新打板，即可在同一套硬件底座上实现不同性能等级产品的快速切换与迭代。　　针对FG205的Wi-Fi适配，广和通将推出支持Wi-Fi 5/6/6E/7的一系列方案，进一步丰富广和通MBB产品矩阵，全面满足不同客户的全档位需求，为无线宽带行业提供成本更优、供应更可靠的方案。

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发布时间：2026-03-20 14:24 阅读量：521 继续阅读>>

Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G OptoM<span style='color:red'>OS</span>®固态继电器

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Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G OptoMOS®固态继电器

　　Littelfuse宣布推出CPC1343G OptoMOS®固态继电器，一款紧凑的常开(1-A型)OptoMOS继电器，专为要求苛刻的工业、医疗和仪器仪表应用中的高可靠性开关而设计。　　CPC1343G基于Littelfuse OptoMOS技术，结合了900mA连续负载电流、60V阻断电压和增强的5000VRMS输入到输出隔离，旨在节省空间的4引脚封装中满足严格的安全和合规要求。快速切换性能(4ms导通和1ms关断)可在现代电子系统中实现精确控制，而3mA的低最大LED驱动电流确保在不增加接口电路的情况下与TTL和CMOS逻辑兼容。　　CPC1343G专为恶劣的作环境而设计，支持-40°C至+105°C的扩展环境温度范围，超过了许多同类竞争SSR常见的+85°C限制。其固态结构可消除机械磨损，提供安静、免维护的运行和长期可靠性，而机电继电器往往无法做到这一点。　　针对安全性、效率和空间受限的设计进行了优化　　CPC1343G的最大导通电阻为0.8Ω，可在较高负载电流下最大限度地降低功率耗散并改善热性能。该器件提供通孔DIP-4和表面贴装两种配置，简化了PCB布局，并实现了跨工业和医疗平台的灵活制造选择。　　“随着CPC1343G的推出，我们将为客户提供一款高性能固态继电器，它结合了强化隔离、快速切换和扩展温度能力。”Littelfuse产品营销经理Hugo Guzman博士表示。“该解决方案可解决空间受限设计中的关键可靠性和安全性挑战，帮助工程师减少维护、提高系统稳健性并加快产品上市速度。”　　包装和订购选项　　CPC1343G系列包括多种封装选择，针对不同的组装和体积要求进行了优化：　　目标市场和应用　　CPC1343G非常适合需要高隔离、快速响应和高温下可靠运行的应用，包括：　　· 工业控制系统和自动化　　· 需要患者与设备隔离的医疗设备　　· 仪器、数据采集和多路复用· 自动测试设备(ATE)· 公用事业和智能计量系统　　CPC1343G将高负载电流能力、强化隔离和紧凑封装相结合，扩展了Littelfuse OptoMOS产品组合，并为设计人员提供了适用于下一代电子系统的合规开关解决方案。　　常见问答：了解更多关于这些大电流OptoMOS固态继电器的信息。　　1. CPC1343G与传统机电继电器有何不同?　　与机电继电器不同，CPC1343G没有活动部件，可在高温下实现静音、免维护的运行，切换速度更快，隔离性能更高，可靠性更高。　　2. CPC1343G与同类固态继电器相比有何不同?　　它可提供更高的连续负载电流(900mA相对于~550mA)、更低的导通电阻(0.8Ω相对于~2.5Ω)，工作温度高达+105°C，从而提供更好的热性能和能效。　　3. CPC1343G是否与低功耗控制逻辑兼容?　　是的。该器件所需的最大LED驱动电流仅为3mA，使其与TTL和CMOS逻辑完全兼容，无需额外的驱动器。　　4. 哪些应用最能从CPC1343G的强化隔离中受益?　　5000VRMS强化隔离可支持严格的安全和监管要求，医疗设备、工业控制、仪器仪表和计量应用可获益。　　5. 有哪些包装选择?　　CPC1343G提供通孔DIP-4和表面安装封装，包括用于自动化大批量生产的卷带选项。

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发布时间：2026-03-17 09:42 阅读量：667 继续阅读>>

广和通发布基于Linux <span style='color:red'>OS</span>的高通QMB415平台5G MiFi解决方案

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广和通发布基于Linux OS的高通QMB415平台5G MiFi解决方案

　　3月5日，广和通正式发布基于高通QMB415平台的模组FG205及5G MiFi解决方案。QMB415平台已适配Linux操作系统，凭借深度定制化的硬件架构与精减的存储需求，为无线宽带应用提供了更优的解决方案以及更可靠的供应稳定性。　　硬件深度定制：去繁就简，直击MiFi核心需求　　QMB415平台在高通SM4450基础上，针对无线宽带应用场景进行高度定制化开发。不同于传统手机芯片平台的冗余设计，该方案在架构上实现了“精准剪裁”：减配CPU冗余算力并裁减了GPU，专注网络连接效能。　　软件系统：Linux OS 终结“内存焦虑”　　此次广和通发布的MiFi解决方案最大亮点在于对Linux操作系统的支持。此前大多5G SoC平台采用的操作系统均是Android，对内存容量的要求较大，通常≥3GB。本方案适配Linux OS后，内存需求最大仅需1GB。该方案降低了存储配置，在实现极致成本的同时，还显著规避了存储这个“不可控”因素带来的供应与价格风险。　　平台化演进：Pin-Pin兼容，实现快速迭代　　为帮助客户缩短产品上市周期，该方案充分考虑了硬件设计的延续性。方案基于QMB415平台的模组FG205，在尺寸布局上与广和通基于骁龙X72/75模组FG180/190系列保持一致。通过Pin-Pin兼容设计，整机客户无需重新打板，即可在同一套硬件底座上实现不同性能等级产品的快速切换与迭代。　　针对FG205的Wi-Fi适配，广和通将推出支持Wi-Fi 5/6/6E/7的一系列方案，进一步丰富广和通MBB产品矩阵，全面满足不同客户的全档位需求，为无线宽带行业提供成本更优、供应更可靠的方案。

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广和通

发布时间：2026-03-09 16:58 阅读量：507 继续阅读>>

ARK（方舟微）:耗尽型M<span style='color:red'>OS</span>FET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

行业新闻

ARK（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

　　01 产品特点　　▲ N沟道耗尽型(Normally-on)　　▲ 优异的热稳定性　　▲ 极低的泄漏电流　　▲ 开关速度快　　▲ VGS(off)：-2.9V～-1.8V　　▲ 低导通电阻：RDS(on)<6Ω　　02 产品应用　　● 智能变送器　　● 传感器　　● 汽车电子　　● 充电桩　　● 非隔离线性电源　　● 恒流源　　● 常闭开关　　03 典型应用及产品优势　　Ø典型应用　　在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，典型电路方案如下：　　Ø使用耗尽型MOSFET的优势　　★ 可直接将较高环路电压转换为稳定的低电压。　　★ DAC芯片供电电压降低，可有效降低功耗，有利于长期稳定运行。　　★ 耗尽型MOSFET能在复杂的电磁环境中抵抗较大的瞬变电压干扰，有效抑制电路浪涌，为DAC芯片提供过压保护。　　04 选型推荐　　在环路供电型4~20mA数模转换器(DAC)的供电及保护方案中，ARK(方舟微)研发的DMZ42C10S、DMX1072、DMX4022E可对Infineon的BSS169实现Pin-to-Pin替代，产品主要参数如下：

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ARK

发布时间：2026-02-28 14:31 阅读量：621 继续阅读>>

车载无线充电新标杆：捷捷微电车规级M<span style='color:red'>OS</span>助力智己50W前装模块

行业新闻

车载无线充电新标杆：捷捷微电车规级MOS助力智己50W前装模块

　　近日，智己汽车在前装车载无线充电领域实现重要突破，其推出的50W车载无线充电模块凭借高效率、高兼容性与稳定可靠的性能，为用户带来“上车即充、满电出发”的便捷体验。在这款集成NFC识别、智能温控与多线圈切换的先进模块中，捷捷微电多款符合AEC-Q101车规标准的MOS被关键性采用，分别在供电控制、同步升降压、谐振电容切换及线圈切换等核心电路中担任重要角色，为系统的稳定运行与高效电能转换提供坚实基础。　　多路协同　　精准赋能无线充电系统　　在智己50W车载无线充电模块中，捷捷微电提供了覆盖多环节、多电压等级的MOS解决方案，形成系统级协同支持：　　供电控制开关管 JMPL1050AUQ　　作为系统输入电源的管理开关，该PMOS具备-100V耐压与38mΩ低导阻，可有效承载车载电源的波动，并在模块待机与工作时实现高效、低损耗的通断控制，提升整机能效。　　同步升降压开关管 JMSL0406AUQ　　该NMOS具有40V耐压与仅4.5mΩ的导阻，在升降压电路中承担高频开关任务，其低导通损耗与快速开关特性有助于提高电压转换效率，确保在不同输入电压下为无线充电功率级提供稳定电能。　　电容与线圈切换开关管 JMSL1018AUQ　　采用100V耐压与16.2mΩ导阻设计，该器件在谐振网络电容切换及多线圈选择电路中发挥关键作用。其高耐压能力可应对谐振过程中的电压应力，低导阻则有助于降低通路损耗，提升无线传输的整体效率与稳定性。　　车规级可靠性为前装应用保驾护航　　所有选用器件均通过AEC-Q101车规认证，满足汽车电子在温度、振动、湿度及长期可靠性方面的严苛要求。　　在封装方面，全线产品采用紧凑型PDFN3×3-8L或类似小型化封装，既有利于高密度布线，也具备良好的散热特性，契合车载无线充电模块对空间与热管理的双重需求。　　携手高端汽车品牌共创智能座舱能源体验　　智己50W前装无线充电模块的成功量产，是捷捷微电MOS管在车载电力电子领域获得认可的又一标志。随着智能座舱对高功率、高效率、高集成度无线充电需求的不断提升，捷捷微电将持续提供符合车规、性能优异的功率器件，助力汽车电子客户实现更安全、更可靠、更智能的车内能源管理方案。

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捷捷微电

发布时间：2026-02-25 16:32 阅读量：731 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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