电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

MWC 2026 | 广和通发布基于Linux <span style='color:red'>OS</span>的高通QMB415平台5G MiFi解决方案

行业新闻

MWC 2026 | 广和通发布基于Linux OS的高通QMB415平台5G MiFi解决方案

　　广和通正式发布基于高通QMB415平台的模组FG205及5G MiFi解决方案。QMB415平台已适配Linux操作系统，凭借深度定制化的硬件架构与精减的存储需求，为无线宽带应用提供了更优的解决方案以及更可靠的供应稳定性。　　硬件深度定制：去繁就简，直击MiFi核心需求　　QMB415平台在高通SM4450基础上，针对无线宽带应用场景进行高度定制化开发。不同于传统手机芯片平台的冗余设计，该方案在架构上实现了“精准剪裁”：减配CPU冗余算力并裁减了GPU，专注网络连接效能。　　软件系统：Linux OS 终结“内存焦虑”　　此次广和通发布的MiFi解决方案最大亮点在于对Linux操作系统的支持。此前大多5G SoC平台采用的操作系统均是Android，对内存容量的要求较大，通常≥3GB。本方案适配Linux OS后，内存需求最大仅需1GB。该方案降低了存储配置，在实现极致成本的同时，还显著规避了存储这个“不可控”因素带来的供应与价格风险。　　平台化演进：Pin-Pin兼容，实现快速迭代　　为帮助客户缩短产品上市周期，该方案充分考虑了硬件设计的延续性。方案基于QMB415平台的模组FG205，在尺寸布局上与广和通基于骁龙X72/75模组FG180/190系列保持一致。通过Pin-Pin兼容设计，整机客户无需重新打板，即可在同一套硬件底座上实现不同性能等级产品的快速切换与迭代。　　针对FG205的Wi-Fi适配，广和通将推出支持Wi-Fi 5/6/6E/7的一系列方案，进一步丰富广和通MBB产品矩阵，全面满足不同客户的全档位需求，为无线宽带行业提供成本更优、供应更可靠的方案。

关键词：

广和通

发布时间：2026-03-20 14:24 阅读量：191 继续阅读>>

Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G OptoM<span style='color:red'>OS</span>®固态继电器

行业新闻

Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G OptoMOS®固态继电器

　　Littelfuse宣布推出CPC1343G OptoMOS®固态继电器，一款紧凑的常开(1-A型)OptoMOS继电器，专为要求苛刻的工业、医疗和仪器仪表应用中的高可靠性开关而设计。　　CPC1343G基于Littelfuse OptoMOS技术，结合了900mA连续负载电流、60V阻断电压和增强的5000VRMS输入到输出隔离，旨在节省空间的4引脚封装中满足严格的安全和合规要求。快速切换性能(4ms导通和1ms关断)可在现代电子系统中实现精确控制，而3mA的低最大LED驱动电流确保在不增加接口电路的情况下与TTL和CMOS逻辑兼容。　　CPC1343G专为恶劣的作环境而设计，支持-40°C至+105°C的扩展环境温度范围，超过了许多同类竞争SSR常见的+85°C限制。其固态结构可消除机械磨损，提供安静、免维护的运行和长期可靠性，而机电继电器往往无法做到这一点。　　针对安全性、效率和空间受限的设计进行了优化　　CPC1343G的最大导通电阻为0.8Ω，可在较高负载电流下最大限度地降低功率耗散并改善热性能。该器件提供通孔DIP-4和表面贴装两种配置，简化了PCB布局，并实现了跨工业和医疗平台的灵活制造选择。　　“随着CPC1343G的推出，我们将为客户提供一款高性能固态继电器，它结合了强化隔离、快速切换和扩展温度能力。”Littelfuse产品营销经理Hugo Guzman博士表示。“该解决方案可解决空间受限设计中的关键可靠性和安全性挑战，帮助工程师减少维护、提高系统稳健性并加快产品上市速度。”　　包装和订购选项　　CPC1343G系列包括多种封装选择，针对不同的组装和体积要求进行了优化：　　目标市场和应用　　CPC1343G非常适合需要高隔离、快速响应和高温下可靠运行的应用，包括：　　· 工业控制系统和自动化　　· 需要患者与设备隔离的医疗设备　　· 仪器、数据采集和多路复用· 自动测试设备(ATE)· 公用事业和智能计量系统　　CPC1343G将高负载电流能力、强化隔离和紧凑封装相结合，扩展了Littelfuse OptoMOS产品组合，并为设计人员提供了适用于下一代电子系统的合规开关解决方案。　　常见问答：了解更多关于这些大电流OptoMOS固态继电器的信息。　　1. CPC1343G与传统机电继电器有何不同?　　与机电继电器不同，CPC1343G没有活动部件，可在高温下实现静音、免维护的运行，切换速度更快，隔离性能更高，可靠性更高。　　2. CPC1343G与同类固态继电器相比有何不同?　　它可提供更高的连续负载电流(900mA相对于~550mA)、更低的导通电阻(0.8Ω相对于~2.5Ω)，工作温度高达+105°C，从而提供更好的热性能和能效。　　3. CPC1343G是否与低功耗控制逻辑兼容?　　是的。该器件所需的最大LED驱动电流仅为3mA，使其与TTL和CMOS逻辑完全兼容，无需额外的驱动器。　　4. 哪些应用最能从CPC1343G的强化隔离中受益?　　5000VRMS强化隔离可支持严格的安全和监管要求，医疗设备、工业控制、仪器仪表和计量应用可获益。　　5. 有哪些包装选择?　　CPC1343G提供通孔DIP-4和表面安装封装，包括用于自动化大批量生产的卷带选项。

关键词：

Littelfuse

发布时间：2026-03-17 09:42 阅读量：265 继续阅读>>

广和通发布基于Linux <span style='color:red'>OS</span>的高通QMB415平台5G MiFi解决方案

行业新闻

广和通发布基于Linux OS的高通QMB415平台5G MiFi解决方案

　　3月5日，广和通正式发布基于高通QMB415平台的模组FG205及5G MiFi解决方案。QMB415平台已适配Linux操作系统，凭借深度定制化的硬件架构与精减的存储需求，为无线宽带应用提供了更优的解决方案以及更可靠的供应稳定性。　　硬件深度定制：去繁就简，直击MiFi核心需求　　QMB415平台在高通SM4450基础上，针对无线宽带应用场景进行高度定制化开发。不同于传统手机芯片平台的冗余设计，该方案在架构上实现了“精准剪裁”：减配CPU冗余算力并裁减了GPU，专注网络连接效能。　　软件系统：Linux OS 终结“内存焦虑”　　此次广和通发布的MiFi解决方案最大亮点在于对Linux操作系统的支持。此前大多5G SoC平台采用的操作系统均是Android，对内存容量的要求较大，通常≥3GB。本方案适配Linux OS后，内存需求最大仅需1GB。该方案降低了存储配置，在实现极致成本的同时，还显著规避了存储这个“不可控”因素带来的供应与价格风险。　　平台化演进：Pin-Pin兼容，实现快速迭代　　为帮助客户缩短产品上市周期，该方案充分考虑了硬件设计的延续性。方案基于QMB415平台的模组FG205，在尺寸布局上与广和通基于骁龙X72/75模组FG180/190系列保持一致。通过Pin-Pin兼容设计，整机客户无需重新打板，即可在同一套硬件底座上实现不同性能等级产品的快速切换与迭代。　　针对FG205的Wi-Fi适配，广和通将推出支持Wi-Fi 5/6/6E/7的一系列方案，进一步丰富广和通MBB产品矩阵，全面满足不同客户的全档位需求，为无线宽带行业提供成本更优、供应更可靠的方案。

关键词：

广和通

发布时间：2026-03-09 16:58 阅读量：291 继续阅读>>

ARK（方舟微）:耗尽型M<span style='color:red'>OS</span>FET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

行业新闻

ARK（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

　　01 产品特点　　▲ N沟道耗尽型(Normally-on)　　▲ 优异的热稳定性　　▲ 极低的泄漏电流　　▲ 开关速度快　　▲ VGS(off)：-2.9V～-1.8V　　▲ 低导通电阻：RDS(on)<6Ω　　02 产品应用　　● 智能变送器　　● 传感器　　● 汽车电子　　● 充电桩　　● 非隔离线性电源　　● 恒流源　　● 常闭开关　　03 典型应用及产品优势　　Ø典型应用　　在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，典型电路方案如下：　　Ø使用耗尽型MOSFET的优势　　★ 可直接将较高环路电压转换为稳定的低电压。　　★ DAC芯片供电电压降低，可有效降低功耗，有利于长期稳定运行。　　★ 耗尽型MOSFET能在复杂的电磁环境中抵抗较大的瞬变电压干扰，有效抑制电路浪涌，为DAC芯片提供过压保护。　　04 选型推荐　　在环路供电型4~20mA数模转换器(DAC)的供电及保护方案中，ARK(方舟微)研发的DMZ42C10S、DMX1072、DMX4022E可对Infineon的BSS169实现Pin-to-Pin替代，产品主要参数如下：

关键词：

ARK

发布时间：2026-02-28 14:31 阅读量：346 继续阅读>>

车载无线充电新标杆：捷捷微电车规级M<span style='color:red'>OS</span>助力智己50W前装模块

行业新闻

车载无线充电新标杆：捷捷微电车规级MOS助力智己50W前装模块

　　近日，智己汽车在前装车载无线充电领域实现重要突破，其推出的50W车载无线充电模块凭借高效率、高兼容性与稳定可靠的性能，为用户带来“上车即充、满电出发”的便捷体验。在这款集成NFC识别、智能温控与多线圈切换的先进模块中，捷捷微电多款符合AEC-Q101车规标准的MOS被关键性采用，分别在供电控制、同步升降压、谐振电容切换及线圈切换等核心电路中担任重要角色，为系统的稳定运行与高效电能转换提供坚实基础。　　多路协同　　精准赋能无线充电系统　　在智己50W车载无线充电模块中，捷捷微电提供了覆盖多环节、多电压等级的MOS解决方案，形成系统级协同支持：　　供电控制开关管 JMPL1050AUQ　　作为系统输入电源的管理开关，该PMOS具备-100V耐压与38mΩ低导阻，可有效承载车载电源的波动，并在模块待机与工作时实现高效、低损耗的通断控制，提升整机能效。　　同步升降压开关管 JMSL0406AUQ　　该NMOS具有40V耐压与仅4.5mΩ的导阻，在升降压电路中承担高频开关任务，其低导通损耗与快速开关特性有助于提高电压转换效率，确保在不同输入电压下为无线充电功率级提供稳定电能。　　电容与线圈切换开关管 JMSL1018AUQ　　采用100V耐压与16.2mΩ导阻设计，该器件在谐振网络电容切换及多线圈选择电路中发挥关键作用。其高耐压能力可应对谐振过程中的电压应力，低导阻则有助于降低通路损耗，提升无线传输的整体效率与稳定性。　　车规级可靠性为前装应用保驾护航　　所有选用器件均通过AEC-Q101车规认证，满足汽车电子在温度、振动、湿度及长期可靠性方面的严苛要求。　　在封装方面，全线产品采用紧凑型PDFN3×3-8L或类似小型化封装，既有利于高密度布线，也具备良好的散热特性，契合车载无线充电模块对空间与热管理的双重需求。　　携手高端汽车品牌共创智能座舱能源体验　　智己50W前装无线充电模块的成功量产，是捷捷微电MOS管在车载电力电子领域获得认可的又一标志。随着智能座舱对高功率、高效率、高集成度无线充电需求的不断提升，捷捷微电将持续提供符合车规、性能优异的功率器件，助力汽车电子客户实现更安全、更可靠、更智能的车内能源管理方案。

关键词：

捷捷微电

发布时间：2026-02-25 16:32 阅读量：397 继续阅读>>

一文带你了解荣湃半导体“光M<span style='color:red'>OS</span>”产品大家庭

行业新闻

一文带你了解荣湃半导体“光MOS”产品大家庭

　　光MOS,也称光继电电路(PhotoMOS),是一种采用MOS管作为输出元件的光电耦合型半导体继电器。其由LED光源与光电二极管阵列组合构成，通过光电转换将光信号转换为MOS管栅极驱动信号，实现输出端无触点开关控制，主要应用于通信设备、测量仪器、医疗设备及工业机械的负载控制领域。　　相比于机械继电器，光MOS产品具有无机械磨损、长寿命、高速开关等特性，支持高频动作与小型化设计。但光MOS本质上属于光电耦合器件，具有以下显著缺点：　　温度敏感性强，工业和汽车高温环境(如85℃以上)易出现电流传输比(CTR)下降，导致信号丢失;　　寿命有限，LED存在光衰问题，长期使用(5年以上)可靠性下降。　　正是由于耐高温和光衰老化问题，光耦器件很少被用于汽车应用中。直到新能源汽车BMS发展，光MOS产品在当时才不得不应用在高压绝缘检测电路中。虽然作为车规产品应用其高温特性和寿命问题持续有所改善，但其固有的本质属性问题无法从根本上得到解决。　　为了从根本上解决以上问题，荣湃半导体陆续推出了基于磁隔和容隔技术的高压隔离开关产品。虽然荣湃半导体推出的高压隔离开关产品与光MOS在原理上完全不同，但为了应用延续性和市场可接受度，仍称为“光MOS”产品。表 1 荣湃半导体光 MOS 产品系列　　Pai8558EQ　　Pai8558EQ是荣湃半导体推出的第一款光MOS产品，其采用平面变压器隔离高压干扰，原副边线圈间填充聚酰亚胺(临界击穿场强0.3MV/cm)。通过AEC-Q100车规认证和VDE0884-17加强绝缘认证，已在客户端大批量出货。　　Pai8559EQ　　Pai8559EQ是在Pai8558EQ的基础上，将副边侧耐压能力从1500V提升到1700V，满足系统高压不断增大的应用场景。　　Pai8558Q　　为了改善电磁干扰(EMI)性能，特别是满足日趋严格的辐射干扰(RE)标准测试，荣湃半导体推出了基于电容隔离技术的光MOS产品Pai8558Q，其原副边耐压仍可达5000Vrms，通过VDE0884-17基本绝缘认证。详细的EMC测试结果可通过相关渠道向荣湃半导体销售工程师咨询。　　图1是典型的以车身地作为参考地的绝缘检测方案，其中Risop是等效的高压电池正端到车身地的绝缘阻抗，Rison是等效的高压电池负端到车身地的绝缘阻抗。S1和S2是高压隔离开关，分别串在正端和负端电阻分压网络上，可以选用荣湃半导体推出的光MOS产品。电阻R1~R4是电阻分压网络，得到合适的电压给到ADC进行采集。通过S1和S2间隔开关切换，可以通过ADC读到不同的电压，联立方程组，即可计算得到绝缘等效阻抗Risop和Rison。图 1 以车身地作为参考地的绝缘检测原理图　　国际标准《ISO 6469-3:2021 Electrically propelled road vehicles — Safety specifications Part 3: Electrical safety》以及国家标准《GB/T 18384.3-2015 电动汽车安全要求第3部分：人员触电防护》规定的耐压测试要求如下：　　将控制器所有高压连接器Pin脚连接在一起，将所有低压连接器Pin脚连接在一起，在高压和低压Pin脚之间施加频率为50Hz~60Hz的(2U+1000)V(rms)的交流测试电压，或者等效的直流测试电压，持续时间1min，如图2为标准的控制器耐压测试示意图。　　图 2 标准的控制器耐压测试示意图　　譬如对于500V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2000Vrms，或者直流电压2828V;同样地，对于800V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2600Vrms，或者直流电压3676V。为了满足耐压测试，系统应用中常需要在高压与低压地之间串入干簧继电器，用以保护光MOS器件，如图3中的干簧继电器S3。图3 采用干簧继电器作为保护的绝缘检测示意图　　此外，在高压储能应用中，电池电压越来越高，1200V和1500V高压电池系统越来越普遍，原先1500V及1700V的光MOS产品已不再适用。　　在以上两个背景下，荣湃半导体果断推出了副边耐压3300V的光MOS产品Pai855AEQ。这款3300V光MOS产品给方案设计带来极大的系统优势：　　新能源汽车500V或800V应用：因为该产品可承受耐压测试，不再需要干簧继电器，系统成本更低、可靠性更高。可参照表2使用荣湃半导体光MOS产品进行硬件配置。　　1200V以上的高压储能应用：使用Pai855AEQ作为绝缘检测开关管，对应图3中的S1和S2。　　当然，光MOS产品还广泛应用于电池管理系统高压采样电路中，以降低整车漏电流。基于对新能源汽车高压采样和绝缘检测应用的理解，荣湃半导体还将继续完善“光MOS”产品矩阵，即将推出新家庭成员，敬请期待。

关键词：

荣湃

发布时间：2026-02-03 10:22 阅读量：492 继续阅读>>

上海雷卯：M<span style='color:red'>OS</span>FET，让机器人关节“活”起来的隐形冠军

行业新闻

上海雷卯：MOSFET，让机器人关节“活”起来的隐形冠军

　　每一次机器人手臂的精准抓取，每一处灵巧关节的流畅转动，背后都有一群“隐形冠军”在高效协同。在关节驱动板微小的空间内，MOSFET正以每秒数万次的高速开关，将控制指令转化为精确的扭矩与速度。　　作为三相逆变电路中的核心功率开关器件，MOSFET不仅是能量转换的“咽喉”，更是决定机器人关节效率、响应速度与长期可靠性的关键元件。它的选型，是一场融合电气性能、热力学、电磁兼容性(EMC)与机械布局的系统工程。　　一.关节驱动的核心挑战：为何MOSFET是关键?　　现代机器人关节普遍采用无刷直流电机(BLDC)或磁场定向控制(FOC)电机，其驱动架构为三相全桥逆变电路，由六个MOSFET组成上下桥臂，将直流母线电压转化为三相交流电驱动电机旋转。　　在此拓扑中，MOSFET承担着高频功率开关的角色，直接影响三大核心指标：　　MOSFET不仅是“开关”，更是系统性能的瓶颈所在。　　二.选型实战：科学决策，避免　　“纸上达标”　　1.选型四步法　　上海雷卯EMC小哥总结MOSFET选型应遵循以下步骤：　　特别提醒：数据手册首页参数不足以判断实际表现，务必查阅特性曲线图如Vds(on)@IdVds(on),Rds(on)(T)进行综合评估。　　2.雷卯电子 N+P 合封 MOSFET 解决方案　　雷卯电子推出N+P合封MOSFET，专为机器人关节驱动优化，在集成度、一致性与可靠性方面具备显著优势，列出部分型号。　　LM3D40NP02，LM4606，LMAK68NP04等等。　　另也可用单颗NMOS +单颗PMOS 组成上下桥臂。　　三.超越数据手册：系统级设计才是　　决胜关键　　优秀的器件只是起点，真正的性能来自系统级工程实践。雷卯EMC小哥整理如下：　　1.热管理：生命线级别的设计　　利用 PCB 铜层、导热过孔(via)、导热界面材料(TIM)将热量传导至外壳。　　必须进行热仿真，基于RθJC　　(结到壳热阻)和实际散热条件计算结温。　　关键部位建议集成温度传感器，实现过温降额保护。　　2.驱动与布局优化　　3.保护电路不可或缺　　过流保护(OCP)：硬件比较器实现微秒级关断　　欠压锁定(UVLO)：防止低电压异常启动　　温度监控(TMP)：实时监测结温，预防热击穿　　TVS防护：栅极配置瞬态电压抑制器，抵御ESD与耦合干扰　　“没有保护的MOSFET就像没有保险的安全带。”——堵转、急停等极端工况必须被充分考虑。　　四.未来展望：向更高密度、更智能迈进　　随着仿生人形机器人迈向 31自由度以上的复杂结构，对MOSFET提出更高要求：　　1、更高功率密度→ 需采用 DFN、PowerFLAT 等先进封装。　　2、更高开关频率(>100kHz)→ 推动低Qg低Crss 器件应用。　　3、更强智能化→ 集成驱动+保护功能的智能半桥模块成趋势。　　宽禁带半导体(SiC/GaN)已在高端场景试点，未来有望打破硅基极限。　　雷卯电子将持续深耕功率半导体领域，从硅基优化走向新材料探索，助力机器人实现“更强、更灵、更稳”的运动生命力。　　五.总结：专业选型建议清单(工程师版)　　MOSFET虽小，却是机器人运动之魂。一次成功的选型，不只是参数的堆砌，而是对系统边界、工况演化与可靠性极限的深刻理解。　　雷卯电子愿以高性能器件与深度技术支持，成为每一位机器人工程师背后的坚实伙伴，共同赋予机械以生命的律动。

关键词：

雷卯

发布时间：2026-01-29 14:50 阅读量：328 继续阅读>>

一文详解NM<span style='color:red'>OS</span>逆变器和PM<span style='color:red'>OS</span>逆变器

行业新闻

一文详解NMOS逆变器和PMOS逆变器

　　在数字电路设计中，NMOS逆变器和PMOS逆变器是常见的基本逻辑门电路。它们是使用场效应晶体管(MOSFET)构建的逆变器电路，用于反转输入信号。本文将探讨NMOS逆变器和PMOS逆变器的原理、特点和应用。　　1.NMOS逆变器　　原理　　工作原理: 在NMOS逆变器中，NMOS场效应晶体管被用作开关。当输入信号为高电平(逻辑1)时，NMOS导通，输出为低电平(逻辑0);当输入信号为低电平(逻辑0)时，NMOS截止，输出为高电平(逻辑1)。　　符号表示: NMOS逆变器的符号表示为一个三角形，其中箭头指向右侧，表示输入与源极相连，栅极接地，漏极连接输出。　　特点　　速度快: NMOS逆变器由单个NMOS晶体管构成，因此响应速度较快。　　功耗低: 在静态状态下，NMOS逆变器消耗的能量较少。　　适用范围: 在大多数数字电路设计中，NMOS逆变器用于实现逻辑功能。　　应用　　NMOS逆变器广泛应用于数字集成电路中，例如存储器、寄存器和逻辑电路。　　2.PMOS逆变器　　原理　　工作原理: PMOS逆变器使用PMOS场效应晶体管作为开关。当输入为高电平(逻辑1)时，PMOS导通，输出为低电平(逻辑0);当输入为低电平(逻辑0)时，PMOS截止，输出为高电平(逻辑1)。　　符号表示: PMOS逆变器的符号表示为一个三角形，其中箭头指向左侧，表示输入与源极相连，栅极连接输入端，漏极连接输出。　　特点　　速度慢: 由于涉及到两个晶体管的工作，PMOS逆变器的响应速度比NMOS逆变器慢一些。　　功耗高: 在静态状态下，PMOS逆变器消耗的功耗相对更高。　　电压门限: PMOS晶体管的操作需要负电压来打开，这会引入额外的复杂性。　　应用　　PMOS逆变器通常用于特定的电路设计，如功耗优先或特殊应用领域。　　NMOS逆变器和PMOS逆变器是基本的逻辑门电路，用于实现输入信号的反转。NMOS逆变器具有速度快、功耗低等特点，适用于大多数数字电路设计;而PMOS逆变器则响应速度较慢、功耗较高，但在特定应用场景中也具有重要作用。

关键词：

逆变器

发布时间：2026-01-29 14:18 阅读量：449 继续阅读>>

ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型M<span style='color:red'>OS</span>FET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选

行业新闻

ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选

　　产品简介　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)推出的70V N沟道耗尽型MOSFET，在0615基础上将阈值电压再提升一档：VGS(OFF) 典型–22V(–25V~–19V)，可以钳位18V~23V输出，完全覆盖QC4.0/Type-C PD3.1快充、工业24V总线、伺服驱动等高压辅助电源需求。SOT-23与SOT-89两种封装，一颗器件替代“三极管+齐纳+电阻”三元组。　　产品特性　　· 产品类型：N沟道耗尽型MOSFET。　　· 超高阈值电压：-25V≤VGS(OFF)@ID=8μA≤-19V。　　· 输入耐压： BVDSX≥70V。　　· 导通电阻：RDS(on)(MAX)≤15Ω。　　· 饱和电流：IDSS≥120mA　　QC4.0/Type-C快充 PWM IC 供电　　Ø采用三极管+齐纳二极管+电阻的传统供电电路　　图2为Type-C PD充电器的示意图。其中采用三极管、电阻、齐纳二极管等组成电压调节器，给PWM IC的VCC供电。由于充电器的输出电压较宽，可达3.3-20V，因此偏置绕组的输出电压变化范围也较大。在充电器输出较高电压时，齐纳二极管击穿，将电压钳位，给VCC提供稳定的电压。此方案采用较多元件，增加BOM成本和PCB面积，占用较多的宝贵空间，同时耗能较多，降低能效。　　Ø采用DMZ(X)0622E的新型供电电路　　成都方舟微电子有限公司利用其专有技术开发的具有超高阈值电压(超高关断电压)的耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E，仅用此一个器件就实现了宽电压输入电压调节器的功能。对追求极致最小尺寸的充电器或适配器的设计工程师，是一个理想的选择。此方案不仅节约空间及面积，而且更加节能。图3是DMZ(X)0622E在Type-C PD充电器的典型应用电路。　　图3中的双极型晶体管、齐纳二极管及限流电阻网络可被单颗耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E直接取代，从而在减少元器件数量的同时显著压缩PCB占用面积，并降低整体BOM成本。　　启动阶段由耗尽型MOSFET DMZ6005E负责：当充电器接入市电并开始工作后，辅助绕组随即建立电压并向PWM IC供电;此时DMZ6005E自动关断，将通路电流降至漏电流级别，使系统待机功耗大幅降低。DMZ6005E的详细技术资料可在ARK(方舟微)官网获取。　　电流/电压源　　Ø 电流/电压源　　DMZ(X)0622E可用作电流或电压源，为负载提供电力，如图4所示。　　输出电压Vout由负载RL、电流ID以及VGS(关断状态)决定：　　ID=IDSS*(1+ID*RL/VGS(OFF))2　　其中：ID*RL=-VGS=Vout　　由上述关系可见，耗尽型MOSFET工作于亚阈值区(弱反型区)，其输出电压Vout始终被限制在略低于或接近于栅-源截止电压VGS(OFF) 的电位，且与输入电压Vout的变化无关。因此，器件除为后级IC提供工作电源外，还利用VGS(OFF)实现主动钳位，有效抑制输入瞬态或负载突变引起的电压、电流波动，对IC起到次级保护作用。DMZ(X)0622E最高可承受70V输入，Vin与Vout的关系满足以下公式：　　If Vin<∣VGS(OFF)∣, then Vout≈Vin　　If Vin≥∣VGS(OFF)∣, then Vout≤VGS(OFF)　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)基于其专利工艺开发的超高阈值耗尽型功率MOSFET。器件关断电压VGS(OFF)分布在−19V至−25V之间，可为反激变换器中的PWM IC等负载提供足够的栅-源驱动电压。　　由于VGS(OFF)呈工艺正态分布，不同批次器件的钳位电压存在差异。图6给出了VGS(OFF)最高(−19V)与最低(−25V)两颗样品的输出电压Vout随结温Tj变化的曲线，表明 Vout的钳位值会随温度及VGS(OFF)漂移而相应变化。　　图7和图8分别展示了DMZ(X)0622E的输出电压Vout与负载电流IRL以及结温TJ的关系特性，这两款MOSFET的VGS(OFF)分别为，最高-19V，最低-25V。

关键词：

ARK

发布时间：2026-01-27 13:24 阅读量：461 继续阅读>>

以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET晶圆的破局之道

行业新闻

以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。

关键词：

森国科

发布时间：2026-01-26 17:43 阅读量：593 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址